Полупроводник GeneSiC GE08MPS06E

ДИОД SIL CARB 650В 21А ТО252-2

Производитель: GeneSiC Полупроводник
Номер производителя: Полупроводник GeneSiC GE08MPS06E
Упаковка: Разрезанная лента (CT)
Техническая спецификация: PDF
Запас: 5981
Артикул: GE08MPS06E
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $2.4000

Дополнительная цена:$2.4000

Подробности

Параметры
Производитель	GeneSiC Полупроводник
Ряд	Карбид кремния Шоттки MPS™
Упаковка	Разрезанная лента (CT)
Статус продукта	Производство постоянно в Digi-Key
Технология	SiC (карбид кремния) Шоттки
Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.)	650 В
Ток – средний выпрямленный (Io)	21А
Скорость	Нет времени восстановления > 500 мА (Io)
Эмкость @ Вр, Ф	373пФ @ 1В, 1МГц
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Пакет/ключи	ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63
Поставщик пакета оборудования	ТО-252-2
Рабочая температура - соединение	-55°С ~ 175°С
Базовый номер продукта	GE08MPS06
Статус RoHS	Соответствует RoHS
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.10.0080
Стандартный пакет	2500

Диод 650 В 21А для поверхностного монтажа ТО-252-2