GeneSiC Semiconductor GE2X10MPS06D

650В 20А ТО-247-3 НИЦ ШОТКИ М

Производитель: GeneSiC Полупроводник
Номер производителя: GeneSiC Semiconductor GE2X10MPS06D
Упаковка: Трубка
Техническая спецификация: PDF
Запас: 2574
Артикул: GE2X10MPS06D
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Подробности

Параметры
Производитель	GeneSiC Полупроводник
Ряд	Карбид кремния Шоттки MPS™
Упаковка	Трубка
Статус продукта	Устаревший
Конфигурация диода	1 пара с общим катодом
Технология	SiC (карбид кремния) Шоттки
Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.)	650 В
Ток — средний выпрямленный (Io) (на диод)	23А (постоянный ток)
Скорость	Нет времени восстановления > 500 мА (Io)
Рабочая температура - соединение	-55°С ~ 175°С
Тип монтажа	Сквозное отверстие
Пакет/ключи	ТО-247-3
Поставщик пакета оборудования	ТО-247-3
Базовый номер продукта	GE2X10
Статус RoHS	Соответствует RoHS
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.10.0080
Другие имена	1242-GE2X10MPS06D
Стандартный пакет	30

Диодная решетка, 1 пара, общий катод, 650 В, 23 А (постоянный ток), сквозное отверстие ТО-247-3