GeneSiC Полупроводниковый MSRT10060D

600 В 100 А ТРИ БАШНИ SILICON RE

Производитель: GeneSiC Полупроводник
Номер производителя: GeneSiC Полупроводниковый MSRT10060D
Упаковка: Масса
Техническая спецификация: PDF
Запас: 3736
Артикул: MSRT10060D
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $87.1935 г.

Дополнительная цена:$87.1935 г.

Подробности

Параметры
Производитель	GeneSiC Полупроводник
Ряд	-
Упаковка	Масса
Статус продукта	Активный
Конфигурация диода	1 пара последовательного подключения
Технология	Стандартный
Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.)	600 В
Ток — средний выпрямленный (Io) (на диод)	100А
Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If	1,1 В при 100 А
Скорость	Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io)
Ток – обратная утечка @ Vr	10 мкА при 600 В
Рабочая температура - соединение	-55°С ~ 150°С
Тип монтажа	Крепление на шасси
Пакет/ключи	Три башни
Поставщик пакета оборудования	Три башни
Базовый номер продукта	МСРТ100
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.10.0080
Другие имена	1242-MSRT10060D
Стандартный пакет	40

Диодная матрица, 1 пара, последовательное соединение, 600 В, 100 А, монтаж на шасси, три башни