GeneSiC Полупроводниковый MSRT150120D

1200 В 150 А ТРИ БАШНИ SILICON R

Производитель: GeneSiC Полупроводник
Номер производителя: GeneSiC Полупроводниковый MSRT150120D
Упаковка: Масса
Техническая спецификация: PDF
Запас: 2474
Артикул: MSRT150120D
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $98,8155

Дополнительная цена:$98,8155

Подробности

Параметры
Производитель	GeneSiC Полупроводник
Ряд	-
Упаковка	Масса
Статус продукта	Активный
Конфигурация диода	1 пара последовательного подключения
Технология	Стандартный
Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.)	1200 В
Ток — средний выпрямленный (Io) (на диод)	150А
Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If	1,1 В при 150 А
Скорость	Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io)
Ток – обратная утечка @ Vr	10 мкА при 1200 В
Рабочая температура - соединение	-55°С ~ 150°С
Тип монтажа	Крепление на шасси
Пакет/ключи	Три башни
Поставщик пакета оборудования	Три башни
Базовый номер продукта	МСРТ150
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.10.0080
Другие имена	1242-МСРТ150120Д
Стандартный пакет	40

Диодная матрица, 1 пара, последовательное соединение, 1200 В, 150 А, монтаж на шасси, три башни