GeneSiC Semiconductor MSRTA300120D

1200 В 300 А ТРИ БАШНИ ISO SILIC

Производитель: GeneSiC Полупроводник
Номер производителя: GeneSiC Semiconductor MSRTA300120D
Упаковка: Масса
Техническая спецификация: PDF
Запас: 8115
Артикул: MSRTA300120D
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $159,9075

Дополнительная цена:$159,9075

Подробности

Параметры
Производитель	GeneSiC Полупроводник
Ряд	-
Упаковка	Масса
Статус продукта	Активный
Конфигурация диода	1 пара последовательного подключения
Технология	Стандартный
Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.)	1200 В
Ток — средний выпрямленный (Io) (на диод)	300А
Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If	1,1 В при 300 А
Скорость	Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io)
Ток – обратная утечка @ Vr	20 мкА при 1200 В
Рабочая температура - соединение	-55°С ~ 150°С
Тип монтажа	Крепление на шасси
Пакет/ключи	Модуль
Поставщик пакета оборудования	-
Базовый номер продукта	МСРТА300
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.10.0080
Другие имена	1242-МСРТА300120Д
Стандартный пакет	24

Диодная матрица, 1 пара, последовательное подключение, 1200 В, 300 А, модуль для установки на шасси