GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B128ESIGR

128 МБИТ, 3,3 В, СОП8 208МИЛ, ИНДУ

Производитель: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Номер производителя: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B128ESIGR
Упаковка: Лента и катушка (TR)
Техническая спецификация: PDF
Запас: 6882
Артикул: GD25B128ESIGR
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1,9700

Дополнительная цена:$1,9700

Подробности

Параметры
Производитель	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Ряд	-
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	Активный
Тип	Энергонезависимый
Формат памяти	ВСПЫШКА
Технология	ВСПЫШКА-НОР (SLC)
Размер	128Мбит
Организация	16М х 8
Интерфейс памяти	SPI — четырехканальный ввод-вывод
Тактовая частота	133 МГц
Время цикла записи — Word, Page	70 мкс, 2,4 мс
Время доступа	7 нс
Напряжение питания	2,7 В ~ 3,6 В
Рабочая температура	-40°С ~ 85°С (ТА)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Пакет/ключи	8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм)
Поставщик пакета оборудования	8-СОП
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	3 (168 часов)
Статус REACH	REACH не касается
Стандартный пакет	2000 г.

FLASH — NOR (SLC) ИС память 128 Мбит SPI — Quad I/O 133 МГц 7 нс 8-SOP