GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B32ETIGR

32 МБИТ, 3,3 В, СОП8 150 МИЛ, ПРОМЫШЛЕННОСТЬ

Производитель: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Номер производителя: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B32ETIGR
Упаковка: Лента и катушка (TR)
Техническая спецификация: PDF
Запас: 5179
Артикул: ГД25Б32ЭТИГР
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,9900

Дополнительная цена:$0,9900

Подробности

Параметры
Технология	ВСПЫШКА-НОР (SLC)
Размер	32 Мбит
Организация	4М х 8
Интерфейс памяти	SPI — четырехканальный ввод-вывод
Тактовая частота	133 МГц
Время цикла записи — Word, Page	70 мкс, 2,4 мс
Время доступа	7 нс
Напряжение питания	2,7 В ~ 3,6 В
Рабочая температура	-40°С ~ 85°С (ТА)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Пакет/ключи	8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм)
Поставщик пакета оборудования	8-СОП
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	3 (168 часов)
Статус REACH	REACH не касается
Стандартный пакет	3000
Производитель	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Ряд	-
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	Активный
Тип	Энергонезависимый
Формат памяти	ВСПЫШКА

FLASH — NOR (SLC) ИС память 32 Мбит SPI — Quad I/O 133 МГц 7 нс 8-SOP