GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE128ESIGR

128 МБИТ, 1,8 В, СОП8 208МИЛ, ИНДУ

Производитель: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Номер производителя: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE128ESIGR
Упаковка: Лента и катушка (TR)
Техническая спецификация: PDF
Запас: 9475
Артикул: GD25LE128ESIGR
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $2.1600

Дополнительная цена:$2.1600

Подробности

Параметры
Производитель	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Ряд	-
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	Активный
Тип	Энергонезависимый
Формат памяти	ВСПЫШКА
Технология	ВСПЫШКА-НОР (SLC)
Размер	128Мбит
Организация	16М х 8
Интерфейс памяти	SPI — ввод четырехвывода, QPI
Тактовая частота	133 МГц
Время цикла записи — Word, Page	60 мкс, 2,4 мс
Время доступа	6 нс
Напряжение питания	1,65 В ~ 2 В
Рабочая температура	-40°С ~ 85°С (ТА)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Пакет/ключи	8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм)
Поставщик пакета оборудования	8-СОП
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	3 (168 часов)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	3А991Б1А
ХТСУС	8542.32.0071
Стандартный пакет	2000 г.

FLASH — NOR (SLC) ИС память 128 Мбит SPI — Quad I/O, QPI 133 МГц 6 нс 8-SOP