Global Power Technology-GPT G3S12002H
Diode Sil Carb 1,2 K 7,3A DO 220F
- Проиджоделх: Глобан
- NoMerPOIзVODITELEL: Global Power Technology-GPT G3S12002H
- Епаково: Веса
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- Зapas: 3471
- Sku: G3S12002H
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Глобан |
| В припании | - |
| Упако | Веса |
| Степень Продукта | Актифен |
| Тела | Sic (kremniewый karbid) |
| На | 1200 |
| Ток - Среднигиисправейни (io) | 7.3A |
| На | 1,7 - @ 2 a |
| Скороп | Верниони -весановейн> 500 май (io) |
| ВОЗНАЯ ВОЗНА | 0 м |
| Ток - Обратна тебе | 50 мк. |
| Emcostath @ vr, f | 136pf @ 0v, 1 мгест |
| МОНТАНАНГИП | Чereз dыru |
| PakeT / KORPUES | 220-2 |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | DO-220F |
| Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee | -55 ° C ~ 175 ° C. |
| Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
| Доусейн Статуса | DoStiчsh и napormaцiю, dostupnuюpo зaprosue |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.10.0080 |
| Станодадж | 30 |
DIOD 1200 -7,3A чereз otwerstie odon 220f