Глобальная энергетическая технология-GPT G3S12006B

SIC ДИОД ШОТКИ 1200В 6А 3-ПИ

Производитель: Глобальная энергетическая технология-GPT
Номер производителя: Глобальная энергетическая технология-GPT G3S12006B
Упаковка: Разрезанная лента (CT)
Техническая спецификация: PDF
Запас: 7713
Артикул: G3S12006B
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $9.7600

Дополнительная цена:$9.7600

Подробности

Параметры
Производитель	Глобальная энергетическая технология-GPT
Ряд	-
Упаковка	Разрезанная лента (CT)
Статус продукта	Активный
Конфигурация диода	1 пара с общим катодом
Технология	SiC (карбид кремния) Шоттки
Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.)	1200 В
Ток — средний выпрямленный (Io) (на диод)	14А (постоянный ток)
Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If	1,7 В при 3 А
Скорость	Нет времени восстановления > 500 мА (Io)
Время обратного восстановления (trr)	0 нс
Ток – обратная утечка @ Vr	100 мкА при 1200 В
Рабочая температура - соединение	-55°С ~ 175°С
Тип монтажа	Сквозное отверстие
Пакет/ключи	ТО-247-3
Поставщик пакета оборудования	ТО-247АБ
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Статус REACH	Информация REACH предоставляется по запросу
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.10.0080
Стандартный пакет	30

Диодная матрица, 1 пара, общий катод, 1200 В, 14 А (постоянный ток), сквозное отверстие ТО-247-3