Глобальная энергетическая технология-GPT G3S12010M

ДИОД СИК 1.2КВ 23.5А TO220F

Производитель: Глобальная энергетическая технология-GPT
Номер производителя: Глобальная энергетическая технология-GPT G3S12010M
Упаковка: Разрезанная лента (CT)
Техническая спецификация: PDF
Запас: 7049
Артикул: Г3С12010М
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $15.1400

Дополнительная цена:$15.1400

Подробности

Параметры
Производитель	Глобальная энергетическая технология-GPT
Ряд	-
Упаковка	Разрезанная лента (CT)
Статус продукта	Активный
Технология	SiC (карбид кремния) Шоттки
Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.)	1200 В
Ток – средний выпрямленный (Io)	23,5А
Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If	1,7 В при 10 А
Скорость	Нет времени восстановления > 500 мА (Io)
Время обратного восстановления (trr)	0 нс
Ток – обратная утечка @ Vr	50 мкА при 1200 В
Эмкость @ Вр, Ф	765пФ при 0 В, 1 МГц
Тип монтажа	Сквозное отверстие
Пакет/ключи	ТО-220-2 Полный пакет
Поставщик пакета оборудования	ТО-220Ф
Рабочая температура - соединение	-55°С ~ 175°С
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Статус REACH	Информация REACH предоставляется по запросу.
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.10.0080
Стандартный пакет	30

Диод 1200 В 23,5 А сквозное отверстие ТО-220Ф