Глобальная энергетическая технология-GPT G4S06508QT

ДИОД СИЛ КАРБИД 650В 34А 4DFN

Производитель: Глобальная энергетическая технология-GPT
Номер производителя: Глобальная энергетическая технология-GPT G4S06508QT
Упаковка: Разрезанная лента (CT)
Техническая спецификация: PDF
Запас: 3413
Артикул: G4S06508QT
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $4.8300

Дополнительная цена:$4.8300

Подробности

Параметры
Производитель	Глобальная энергетическая технология-GPT
Ряд	-
Упаковка	Разрезанная лента (CT)
Статус продукта	Активный
Технология	SiC (карбид кремния) Шоттки
Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.)	650 В
Ток – средний выпрямленный (Io)	34А
Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If	1,7 В @ 8 А
Скорость	Нет времени восстановления > 500 мА (Io)
Время обратного восстановления (trr)	0 нс
Ток – обратная утечка @ Vr	50 мкА при 650 В
Эмкость @ Вр, Ф	395пФ при 0 В, 1 МГц
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Пакет/ключи	4-PowerTSFN
Поставщик пакета оборудования	4-ДФН (8х8)
Рабочая температура - соединение	-55°С ~ 175°С
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Статус REACH	Информация REACH предоставляется по запросу.
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.10.0080
Стандартный пакет	30

Диод 650 В 34А для поверхностного монтажа 4-DFN (8x8)