Глобальная энергетическая технология-GPT G4S06530BT

SIC ДИОД ШОТКИ 650В 30А 3-ПИ

Производитель: Глобальная энергетическая технология-GPT
Номер производителя: Глобальная энергетическая технология-GPT G4S06530BT
Упаковка: Разрезанная лента (CT)
Техническая спецификация: PDF
Запас: 1432
Артикул: G4S06530BT
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $16.1800

Дополнительная цена:$16.1800

Подробности

Параметры
Производитель	Глобальная энергетическая технология-GPT
Ряд	-
Упаковка	Разрезанная лента (CT)
Статус продукта	Активный
Конфигурация диода	1 пара с общим катодом
Технология	SiC (карбид кремния) Шоттки
Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.)	650 В
Ток — средний выпрямленный (Io) (на диод)	39А (постоянный ток)
Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If	1,7 В @ 15 А
Скорость	Нет времени восстановления > 500 мА (Io)
Время обратного восстановления (trr)	0 нс
Ток – обратная утечка @ Vr	50 мкА при 650 В
Рабочая температура - соединение	-55°С ~ 175°С
Тип монтажа	Сквозное отверстие
Пакет/ключи	ТО-247-3
Поставщик пакета оборудования	ТО-247АБ
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Статус REACH	Информация REACH предоставляется по запросу
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.10.0080
Стандартный пакет	30

Диодная матрица, 1 пара, общий катод, 650 В, 39 А (постоянный ток), сквозное отверстие ТО-247-3