Global Power Technology-GPT G4S12010PM
DIOD SIC 1,2KV 33,2A DO 247AC
- Проиджоделх: Глобан
- NoMerPOIзVODITELEL: Global Power Technology-GPT G4S12010PM
- Епаково: Веса
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 3933
- Sku: G4S12010PM
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Глобан |
| В припании | - |
| Упако | Веса |
| Степень Продукта | Актифен |
| Тела | Sic (kremniewый karbid) |
| На | 1200 |
| Ток - Среднигиисправейни (io) | 33,2а |
| Скороп | Верниони -весановейн> 500 май (io) |
| ВОЗНАЯ ВОЗНА | 0 м |
| Ток - Обратна тебе | 30 мк @ 1700 |
| Emcostath @ vr, f | - |
| МОНТАНАНГИП | Чereз dыru |
| PakeT / KORPUES | ДО-247-2 |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | ДО-247AC |
| Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee | -55 ° C ~ 175 ° C. |
| Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
| Доусейн Статуса | DoStiчsh и napormaцiю, dostupnuюpo зaprosue |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.10.0080 |
| Станодадж | 30 |
DIOD 1200- 33,2A чereз oTwerStie odO 247AC