Глобальная энергетическая технология-GPT G4S12010PM

ДИОД SIC 1.2KV 33.2A TO247AC

Производитель: Глобальная энергетическая технология-GPT
Номер производителя: Глобальная энергетическая технология-GPT G4S12010PM
Упаковка: Разрезанная лента (CT)
Техническая спецификация: PDF
Запас: 3933
Артикул: G4S12010PM
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $17.6300

Дополнительная цена:$17.6300

Подробности

Параметры
Производитель	Глобальная энергетическая технология-GPT
Ряд	-
Упаковка	Разрезанная лента (CT)
Статус продукта	Активный
Технология	SiC (карбид кремния) Шоттки
Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.)	1200 В
Ток – средний выпрямленный (Io)	33,2А
Скорость	Нет времени восстановления > 500 мА (Io)
Время обратного восстановления (trr)	0 нс
Ток – обратная утечка @ Vr	30 мкА при 1700 В
Эмкость @ Вр, Ф	-
Тип монтажа	Сквозное отверстие
Пакет/ключи	ТО-247-2
Поставщик пакета оборудования	ТО-247АС
Рабочая температура - соединение	-55°С ~ 175°С
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Статус REACH	Информация REACH предоставляется по запросу
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.10.0080
Стандартный пакет	30

Диод 1200 В 33,2 А сквозное отверстие ТО-247АС