Global Power Technology-GPT G4S12020BM
SIC Schottky Diode 1200V 20A 3-P
- Проиджоделх: Глобан
- NoMerPOIзVODITELEL: Global Power Technology-GPT G4S12020BM
- Епаково: Веса
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 8733
- Sku: G4S120202020BM
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Глобан |
| В припании | - |
| Упако | Веса |
| Степень Продукта | Актифен |
| Коунфигурахия | 1 пар |
| Тела | Sic (kremniewый karbid) |
| На | 1200 |
| Ток - Средниги ипра. | 33.2a (DC) |
| На | 1,6 В @ 10 a |
| Скороп | Верниони -весановейн> 500 май (io) |
| ВОЗНАЯ ВОЗНА | 0 м |
| Ток - Обратна тебе | 30 мк. |
| Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee | -55 ° C ~ 175 ° C. |
| МОНТАНАНГИП | Чereз dыru |
| PakeT / KORPUES | 247-3 |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | TO-247AB |
| Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
| Доусейн Статуса | DoStiчsh и napormaцiю, dostupnuюpo зaprosue |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.10.0080 |
| Станодадж | 30 |
DiodnahnamnaMyaMASCIVA 1PARARA OOBHYй CATOD 1200 В 33,2A (DC).