Глобальные энергетические технологии-GPT1201010BM
SIC Schottky Diode 1200V 10A 3-P
- Проиджоделх: Глобан
- NoMerPOIзVODITELEL: Глобальные энергетические технологии-GPT1201010BM
- Епаково: Веса
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 6742
- Sku: G5S12010BM
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Глобан |
| В припании | - |
| Упако | Веса |
| Степень Продукта | Актифен |
| Коунфигурахия | 1 пар |
| Тела | Sic (kremniewый karbid) |
| На | 1200 |
| Ток - Средниги ипра. | 19.35a (DC) |
| На | 1,7 - @ 5 a |
| Скороп | Верниони -весановейн> 500 май (io) |
| ВОЗНАЯ ВОЗНА | 0 м |
| Ток - Обратна тебе | 50 мк. |
| Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee | -55 ° C ~ 175 ° C. |
| МОНТАНАНГИП | Чereз dыru |
| PakeT / KORPUES | 247-3 |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | TO-247AB |
| Доусейн Статуса | DoStiчsh и napormaцiю, dostupnuюpo зaprosue |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.10.0080 |
| Станодадж | 30 |
Diodnahnain Mysciva 1Pora obhщiй katod 1200 v 19,35а (DC).