| Параметры |
| Производитель | Глобальная энергетическая технология-GPT |
| Ряд | - |
| Упаковка | Разрезанная лента (CT) |
| Статус продукта | Активный |
| Технология | SiC (карбид кремния) Шоттки |
| Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | 1200 В |
| Ток – средний выпрямленный (Io) | 53А |
| Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | 1,7 В @ 15 А |
| Скорость | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) |
| Время обратного восстановления (trr) | 0 нс |
| Ток – обратная утечка @ Vr | 50 мкА при 1200 В |
| Эмкость @ Вр, Ф | 1370пФ при 0 В, 1 МГц |
| Тип монтажа | Сквозное отверстие |
| Пакет/ключи | ТО-220-2 |
| Поставщик пакета оборудования | ТО-220АС |
| Рабочая температура - соединение | -55°С ~ 175°С |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| Статус REACH | Информация REACH предоставляется по запросу |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.10.0080 |
| Стандартный пакет | 30 |
Диод 1200 В 53А Сквозное отверстие ТО-220АС