Глобальная энергетическая технология-GPT G5S6506Z

ДИОД SIL CARB 650В 30.5А 8DFN

Производитель: Глобальная энергетическая технология-GPT
Номер производителя: Глобальная энергетическая технология-GPT G5S6506Z
Упаковка: Разрезанная лента (CT)
Техническая спецификация: PDF
Запас: 1078
Артикул: G5S6506Z
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $5.5400

Дополнительная цена:$5.5400

Подробности

Параметры
Производитель	Глобальная энергетическая технология-GPT
Ряд	-
Упаковка	Разрезанная лента (CT)
Статус продукта	Активный
Технология	SiC (карбид кремния) Шоттки
Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.)	650 В
Ток – средний выпрямленный (Io)	30,5А
Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If	1,5 В при 6 А
Скорость	Нет времени восстановления > 500 мА (Io)
Время обратного восстановления (trr)	0 нс
Ток – обратная утечка @ Vr	50 мкА при 650 В
Эмкость @ Вр, Ф	395пФ при 0 В, 1 МГц
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Пакет/ключи	8-PowerTDFN
Поставщик пакета оборудования	8-ДФН (4,9х5,75)
Рабочая температура - соединение	-55°С ~ 175°С
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Статус REACH	Информация REACH предоставляется по запросу
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.10.0080
Стандартный пакет	30

Диод 650 В 30,5 А для поверхностного монтажа 8-DFN (4,9х5,75)