Goford Semiconductor 1216D2 - Goford Semiconductor FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Гофорд Полупроводник 1216D2

П-12В,-16А,РД(МАКС)<21М@-4,5В,ВТХ

  • Производитель: Гофорд Полупроводник
  • Номер производителя: Гофорд Полупроводник 1216D2
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 2750
  • Артикул: 1216Д2
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,1085

Дополнительная цена:$0,1085

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Гофорд Полупроводник
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора P-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 12 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 16А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 2,5 В, 4,5 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 21 мОм при 1 А, 4,5 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 1,2 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 48 НК при 4,5 В
ВГС (Макс) ±8 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2700 пФ при 10 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 18 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования 6-ДФН (2х2)
Пакет/ключи 6-WDFN Открытая площадка
Статус RoHS Соответствует RoHS
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0000
Другие имена 3141-1216Д2ТР
Стандартный пакет 3000
П-канал 12 В 16 А (Tc) 18 Вт (Tc) Для поверхностного монтажа 6-DFN (2x2)