Goford Semiconductor 18n20

N 200v, rd (max) <0,16 прри 10в, VTH1.0V

Проиджоделх: Goford Semiconductor
NoMerPOIзVODITELEL: Goford Semiconductor 18n20
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 2
Sku: 18n20
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $0,3370

Эkst цena:$0,3370

Подрэбной

Парметр
Манера	Goford Semiconductor
В припании	18n20
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	200
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	18а (TJ)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	10 В
Rds on (max) @ id, vgs	160mohm @ 9a, 10v
Vgs (th) (max) @ id	3 w @ 250 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	17,7 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 30 v
Взёр.	836 PF @ 25 V
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	65,8 м (TC)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	252
PakeT / KORPUES	TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63
Статус Ройс	Rohs3
Вернояж	3 (168 чASOW)
Доусейн Статуса	DOSTISH
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Станодар	2500

N-канал 200 В 18А (TJ) 65,8W (TC).