Goford Semiconductor 18N20F - Goford Semiconductor FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Гофорд Полупроводник 18N20F

Н200В, 18А,РД<0,19 при 10 В, VTH1,0 В~3

  • Производитель: Гофорд Полупроводник
  • Номер производителя: Гофорд Полупроводник 18N20F
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 6
  • Артикул: 18Н20Ф
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,4150

Дополнительная цена:$0,4150

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Гофорд Полупроводник
Ряд -
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 200 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 18А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 190 мОм при 9 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 3 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 17,7 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 836 пФ при 25 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 110 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования ТО-220Ф
Пакет/ключи ТО-220-3 Полный пакет
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
Стандартный пакет 50
N-канал 200 В 18 А (Tc) 110 Вт (Tc) сквозное отверстие ТО-220Ф