Goford Semiconductor 2301H - Goford Semiconductor FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Гофорд Полупроводник 2301H

P30V,RD(МАКС.)<130 м при -4,5 В, RD (МАКС.)

  • Производитель: Гофорд Полупроводник
  • Номер производителя: Гофорд Полупроводник 2301H
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 3
  • Артикул: 2301H
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,0290

Дополнительная цена:$0,0290

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Гофорд Полупроводник
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора P-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 2А (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 125 мОм при 3 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 12 НК при 2,5 В
ВГС (Макс) ±12 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 405 пФ при 10 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 1 Вт (Та)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования СОТ-23-3
Пакет/ключи ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 3 (168 часов)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 3000
П-канал 30 В 2А (Та) 1 Вт (Та) для поверхностного монтажа СОТ-23-3