Goford Semiconductor 2301H

P30V, RD (MAX) <130M@-4.5V, RD (MMAKS)

Проиджоделх: Goford Semiconductor
NoMerPOIзVODITELEL: Goford Semiconductor 2301H
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 3
Sku: 2301H
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $0,0290

Эkst цena:$0,0290

Подрэбной

Парметр
Манера	Goford Semiconductor
В припании	-
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	П-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	30
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	2а (тат)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	4,5 В, 10.
Rds on (max) @ id, vgs	125MOHM @ 3A, 10 В
Vgs (th) (max) @ id	2 В @ 250 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	12 NC @ 2,5
Vgs (mmaks)	± 12 В.
Взёр.	405 PF @ 10 V
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	1 yt (tta)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	SOT-23-3
PakeT / KORPUES	Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3
Статус Ройс	Rohs3
Вернояж	3 (168 чASOW)
Доусейн Статуса	DOSTISH
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Станодар	3000

P-Kanal 30- 2A (TA) 1-й (TA) POWRхNOSTNOE