Goford Semiconductor 5N20A - Goford Semiconductor FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Гофорд Полупроводник 5N20A

Н200В,РД(МАКС)<650 м при 10 В, VTH1 В ~ 3 В,

  • Производитель: Гофорд Полупроводник
  • Номер производителя: Гофорд Полупроводник 5N20A
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 25
  • Артикул: 5Н20А
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,1760

Дополнительная цена:$0,1760

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Гофорд Полупроводник
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 200 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 650 мОм при 2,5 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 3 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 10,8 нк при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 255 пФ при 25 В
Рассеиваемая мощность (макс.) 78 Вт
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования ТО-252 (ДПАК)
Пакет/ключи ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 3 (168 часов)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 2500
Н-канальный 200 В, 5 А, 78 Вт, для поверхностного монтажа ТО-252 (ДПАК)