Парметр | |
---|---|
Млн | Goford Semiconductor |
В припании | - |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Актифен |
ТИП ФЕТ | N-канал |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 20 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 6A |
Rds on (max) @ id, vgs | 25mohm @ 4,5a, 4,5 |
Vgs (th) (max) @ id | 1,2- 250 мк |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 10 NC @ 4,5 |
Vgs (mmaks) | ± 10 В. |
Взёр. | 640 pf @ 10 v |
Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 1,25 Вт |
Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | 8-Sop |
PakeT / KORPUES | 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) |
Статус Ройс | Rohs3 |
Вернояж | 3 (168 чASOW) |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Станодар | 4000 |