Goford Semiconductor G04P10HE — полевые транзисторы Goford Semiconductor, MOSFET — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Гофорд Полупроводник G04P10HE

П-100В,-4А,РД(МАКС)<200М@-10В,ВТХ

  • Производитель: Гофорд Полупроводник
  • Номер производителя: Гофорд Полупроводник G04P10HE
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 10
  • Артикул: G04P10HE
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,1300

Дополнительная цена:$0,1300

Подробности

Теги

Параметры
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 2500
Производитель Гофорд Полупроводник
Ряд Г
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора P-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 4А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 200 мОм при 6 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,8 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 25 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1647 пФ при 50 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 1,2 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования СОТ-223
Пакет/ключи ТО-261-4, ТО-261АА
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 3 (168 часов)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
П-канал 100 В 4 А (Tc) 1,2 Вт (Tc) для поверхностного монтажа SOT-223