Goford Semiconductor G050P03T — полевые транзисторы Goford Semiconductor, MOSFET — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Гофорд Полупроводник G050P03T

П-30В,-85А,РД(МАКС)<5М@-10В,ВТХ-1

  • Производитель: Гофорд Полупроводник
  • Номер производителя: Гофорд Полупроводник G050P03T
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 4135
  • Артикул: G050P03T
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Гофорд Полупроводник
Ряд -
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора P-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 85А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 5 мОм при 20 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,5 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 111 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 6922 пФ при 15 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 100 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования ТО-220
Пакет/ключи ТО-220-3
Статус RoHS Соответствует RoHS
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0000
Стандартный пакет 50
П-канал 30 В 85 А (Тс) 100 Вт (Тс) Сквозное отверстие ТО-220