Гофорд Полупроводник G05N06S2

Н60В, 5А,РД<35 м при 10 В, VTH1 В ~ 2,5 В,

Производитель: Гофорд Полупроводник
Номер производителя: Гофорд Полупроводник G05N06S2
Упаковка: Лента и катушка (TR)
Техническая спецификация: PDF
Запас: 12
Артикул: Г05Н06С2
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,1600

Дополнительная цена:$0,1600

Подробности

Параметры
Производитель	Гофорд Полупроводник
Ряд	-
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	Активный
Технология	-
Конфигурация	2 N-канала
Особенность левого транзистора	-
Напряжение стока к источнику (Vdss)	60В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	5А (Тс)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	140 мОм при 5 А, 4,5 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	2,5 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	22 НК при 10 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	979пФ при 30 В
Мощность - Макс.	2 Вт (Тс)
Рабочая температура	-55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Пакет/ключи	8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм)
Поставщик пакета оборудования	8-СОП
Базовый номер продукта	G05N
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	3 (168 часов)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Стандартный пакет	4000

Массив МОП-транзисторов 60 В 5 А (Tc) 2 Вт (Tc) для поверхностного монтажа 8-SOP