Парметр |
Статус Ройс | ROHS COMPRINT |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0000 |
Дрогин ИНЕНА | 3141-G05NP04str |
Станодар | 4000 |
Млн | Goford Semiconductor |
В припании | - |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Актифен |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Коунфигура | - |
FET FUONKSHINA | Станода |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 40 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 4.5A (TC), 10A (TC) |
Rds on (max) @ id, vgs | 41mohm @ 1a, 10v, 37mohm @ 10a, 10v |
Vgs (th) (max) @ id | 2,5 -50 мк |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 8,9NC @ 10V, 13NC @ 10V |
Взёр. | 516pf @ 20v, 520pf @ 20v |
Синла - МАКС | 2W (TC) |
Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
PakeT / KORPUES | 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | 8-Sop |
MOSFET Array 40V 4,5A (TC), 10A (TC) 2W (TC) PORHERхNOSTNOE