Goford Semiconductor G05NP06S2 ​​- Goford Semiconductor FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Гофорд Полупроводник G05NP06S2

НП60В, 5А/-3,1А,РД<36m>

  • Производитель: Гофорд Полупроводник
  • Номер производителя: Гофорд Полупроводник G05NP06S2
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 8
  • Артикул: Г05НП06С2
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,1600

Дополнительная цена:$0,1600

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Гофорд Полупроводник
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Технология -
Конфигурация N и P-канал
Особенность левого транзистора -
Напряжение стока к источнику (Vdss) 60В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 5А (Тс), 3,1А (Тс)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 40 мОм при 3,9 А, 5 В, 95 мОм при 200 мА, 4,5 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2 В при 250 мкА, 2,2 В при 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 22 нк при 10 В, 37 нк при 10 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1336пФ при 30В, 1454пФ при 30В
Мощность - Макс. 2,5 Вт (Тс), 1,9 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм)
Поставщик пакета оборудования 8-СОП
Базовый номер продукта G05N
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 3 (168 часов)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 4000
Массив МОП-транзисторов 60 В 5 А (Tc), 3,1 А (Tc) 2,5 Вт (Tc), 1,9 Вт (Tc) Для поверхностного монтажа 8-SOP