Goford Semiconductor G05NP10S — полевые транзисторы Goford Semiconductor, MOSFET — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Гофорд Полупроводник G05NP10S

Н/П 100 В, 5 А/-6 А, РД (МАКС.)<170m>

  • Производитель: Гофорд Полупроводник
  • Номер производителя: Гофорд Полупроводник G05NP10S
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 2618
  • Артикул: Г05НП10С
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,2116

Дополнительная цена:$0,2116

Подробности

Теги

Параметры
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Конфигурация -
Особенность левого транзистора Стандартный
Напряжение стока к источнику (Vdss) 100В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 5А (Тс), 6А (Тс)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 170 мОм при 1 А, 10 В, 200 мОм при 6 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 3 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 18 нк при 10 В, 25 нк при 10 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 797пФ при 25В, 760пФ при 25В
Мощность - Макс. 3 Вт (Тс), 2,5 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм)
Поставщик пакета оборудования 8-СОП
Статус RoHS Соответствует RoHS
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0000
Другие имена 3141-Г05НП10СТР
Стандартный пакет 4000
Производитель Гофорд Полупроводник
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Массив МОП-транзисторов 100 В, 5 А (Tc), 6 А (Tc), 3 Вт (Tc), 2,5 Вт (Tc), поверхностный монтаж 8-СОП