Гофорд Полупроводник G06N06S2

Н+Н 60В,6А,РД<25 М при 10 В, VTH1,2 В~2.

Производитель: Гофорд Полупроводник
Номер производителя: Гофорд Полупроводник G06N06S2
Упаковка: Лента и катушка (TR)
Техническая спецификация:-
Запас: 3446
Артикул: Г06Н06С2
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,2669

Дополнительная цена:$0,2669

Подробности

Параметры
Производитель	Гофорд Полупроводник
Ряд	-
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	Активный
Технология	МОП-транзистор (оксид металла)
Конфигурация	2 N-канала
Особенность левого транзистора	Стандартный
Напряжение стока к источнику (Vdss)	60В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	6А (Тс)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	25 мОм при 6 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	2,4 В при 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	46 НК при 10 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	1600пФ при 30В
Мощность - Макс.	2,1 Вт (Тс)
Рабочая температура	-55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Пакет/ключи	8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм)
Поставщик пакета оборудования	8-СОП
Статус RoHS	Соответствует RoHS
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0000
Другие имена	3141-Г06Н06С2ТР
Стандартный пакет	4000

Массив МОП-транзисторов 60 В 6 А (Tc) 2,1 Вт (Tc) для поверхностного монтажа 8-SOP