Goford Semiconductor G06N10 - Goford Semiconductor FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Гофорд Полупроводник G06N10

Н100В,РД(МАКС)<240 М при 10 В, VTH1,2 В~3

  • Производитель: Гофорд Полупроводник
  • Номер производителя: Гофорд Полупроводник G06N10
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 9187
  • Артикул: Г06Н10
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Гофорд Полупроводник
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 240 мОм при 6 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 3 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 6,2 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 190 пФ при 50 В
Рассеиваемая мощность (макс.) 25 Вт
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования ТО-252 (ДПАК)
Пакет/ключи ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 3 (168 часов)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 2500
Н-канальный 100 В, 6 А, 25 Вт, для поверхностного монтажа ТО-252 (ДПАК)