Goford Semiconductor G075n06mi

N60V, 110A, Rd <7M@10V, VTH1.0V ~ 4,0

Проиджоделх: Goford Semiconductor
NoMerPOIзVODITELEL: Goford Semiconductor G075n06mi
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 1
Sku: G075N06MI
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $0,4610

Эkst цena:$0,4610

Подрэбной

Парметр
Млн	Goford Semiconductor
В припании	-
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	60
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	110A (TC)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	10 В
Rds on (max) @ id, vgs	7mohm @ 20a, 10 В
Vgs (th) (max) @ id	4 В @ 250 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	90 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 20 В.
Взёр.	6443 PF @ 30 V
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	160 Вт (TC)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	263
PakeT / KORPUES	TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB
Статус Ройс	ROHS COMPRINT
Доусейн Статуса	DOSTISH
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0000
Станодар	1600

N-KANAL 60 В 110А (TC) 160-st (TC)