Goford Semiconductor G080N10T - Goford Semiconductor FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Гофорд Полупроводник G080N10T

МОП-транзистор Н-Ч 100В 180А ТО-220

  • Производитель: Гофорд Полупроводник
  • Номер производителя: Гофорд Полупроводник G080N10T
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 7756
  • Артикул: Г080Н10Т
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1,9400

Дополнительная цена:$1,9400

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Гофорд Полупроводник
Ряд -
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 180А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 7,5 мОм при 30 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,5 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 107 НК при 4,5 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 13912 пФ при 50 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 370 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования ТО-220
Пакет/ключи ТО-220-3
Статус RoHS Соответствует RoHS
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0000
Другие имена 3141-Г080Н10Т
Стандартный пакет 50
Н-канал 100 В 180 А (Тс) 370 Вт (Тс) Сквозное отверстие ТО-220