Goford Semiconductor G085p02ts

P-20V, -8.2a, Rd (Max) <8,5 м@-4,5 v, v

Проиджоделх: Goford Semiconductor
NoMerPOIзVODITELEL: Goford Semiconductor G085p02ts
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 5
Sku: G085P02TS
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $0,5900

Эkst цena:$0,5900

Подрэбной

Парметр
Млн	Goford Semiconductor
В припании	-
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	П-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	20
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	8.2a (TC)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	1,8 В, 4,5 В.
Rds on (max) @ id, vgs	8,5mohm @ 4,2a, 4,5
Vgs (th) (max) @ id	900 мВ @ 250 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	29 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 8 В
Взёр.	1255 PF @ 10 V
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	1,05 м (TC)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	8-tssop
PakeT / KORPUES	8-tssop (0,173 », ширина 4,40 мм)
Статус Ройс	ROHS COMPRINT
Доусейн Статуса	DOSTISH
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0000
Станодар	5000

P-KANAL 20 В 8,2A (TC) 1,05 ve (TC).