GOFORD SEMICONDUCTOR G08N02H
N20V, 12A, Rd <11,3 м@4,5 v, VTH0,5.
- Проиджоделх: Goford Semiconductor
- NoMerPOIзVODITELEL: GOFORD SEMICONDUCTOR G08N02H
- Епаково: Lenta и катахка (tr)
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian:-
- ЗapaS: 3978
- Sku: G08N02H
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Goford Semiconductor |
| В припании | - |
| Упако | Lenta и катахка (tr) |
| Степень Продукта | Актифен |
| ТИП ФЕТ | N-канал |
| Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
| Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 20 |
| TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 12a (TC) |
| Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) | 2,5 В, 4,5 В. |
| Rds on (max) @ id, vgs | 11,3mohm @ 1a, 4,5 |
| Vgs (th) (max) @ id | 900 мВ @ 250 мк |
| ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 12,5 NC @ 4,5 |
| Vgs (mmaks) | ± 12 В. |
| Взёр. | 1255 PF @ 10 V |
| FET FUONKSHINA | - |
| Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 1,7 м (TC) |
| Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | SOT-223 |
| PakeT / KORPUES | 261-4, 261AA |
| Статус Ройс | ROHS COMPRINT |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.29.0000 |
| Дрогин ИНЕНА | 3141-G08N02HTR |
| Станодар | 2500 |
N-kanal 20- 12а (Tc) 1,7-т (Tc) poverхnoStnoe
Болх
- Vishay Siliconix IRF510
- Vishay Siliconix IRF9510
- Vishay Siliconix IRFD9220
- Vishay Siliconix IRF840
- Vishay Siliconix IRFD110
- Vishay Siliconix IRFD9113
- Vishay Siliconix IRFD210
- Vishay Siliconix IRFD9110
- Vishay Siliconix IRFD9120
- Vishay Siliconix IRF9630
- Vishay Siliconix IRF610
- Vishay Siliconix IRF530
- Vishay Siliconix IRF620
- Vishay Siliconix IRF730
- Vishay Siliconix IRF740