Goford Semiconductor G08N02L

N20V, 8A, Rd <12,3 м@4,5 v, vth0,5 ~

Проиджоделх: Goford Semiconductor
NoMerPOIзVODITELEL: Goford Semiconductor G08N02L
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian:-
ЗapaS: 8780
Sku: G08N02L
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $0,0962

Эkst цena:$0,0962

Подрэбной

Парметр
Млн	Goford Semiconductor
В припании	-
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	20
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	8a (TC)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	2,5 В, 4,5 В.
Rds on (max) @ id, vgs	12,3mohm @ 12a, 4,5
Vgs (th) (max) @ id	900 мВ @ 250 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	22 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 12 В.
Взёр.	929 PF @ 10 V
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	1,5 yt (tc)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	SOT-23-3
PakeT / KORPUES	Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3
Статус Ройс	ROHS COMPRINT
Доусейн Статуса	DOSTISH
Eccn	Ear99
Дрогин ИНЕНА	3141-G08N02LTR
Станодар	3000

N-kanal 20- 8A (TC) 1,5-т (TC) PoverхnoSTNOE