Goford Semiconductor G08N02L - Goford Semiconductor FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Гофорд Полупроводник G08N02L

Н20В, 8А, РД<12,3 М при 4,5 В, VTH0,5 В~

  • Производитель: Гофорд Полупроводник
  • Номер производителя: Гофорд Полупроводник G08N02L
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 8780
  • Артикул: G08N02L
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,0962

Дополнительная цена:$0,0962

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Гофорд Полупроводник
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 8А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 2,5 В, 4,5 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 12,3 мОм при 12 А, 4,5 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 900 мВ при 250 мкА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 22 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±12 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 929 пФ при 10 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 1,5 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования СОТ-23-3
Пакет/ключи ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3
Статус RoHS Соответствует RoHS
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
Другие имена 3141-G08N02LTR
Стандартный пакет 3000
Н-канальный 20 В 8 А (Tc) 1,5 Вт (Tc) для поверхностного монтажа СОТ-23-3