GOFORD SEMICONDUCTOR G08N03D2

N30V, 8A, Rd <20m@10V, VTH1.0V ~ 2,0V,

Проиджоделх: Goford Semiconductor
NoMerPOIзVODITELEL: GOFORD SEMICONDUCTOR G08N03D2
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian:-
ЗapaS: 2166
Sku: G08N03D2
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $0,1018

Эkst цena:$0,1018

Подрэбной

Парметр
Млн	Goford Semiconductor
В припании	-
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	30
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	8a (TC)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	4,5 В, 10.
Rds on (max) @ id, vgs	20mohm @ 4a, 10 В
Vgs (th) (max) @ id	2 В @ 250 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	15 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 20 В.
Взёр.	681 PF @ 15 V
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	17W (TC)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	6-dfn (2x2)
PakeT / KORPUES	6-wdfn otkrыtaiNaiN-o
Статус Ройс	ROHS COMPRINT
Доусейн Статуса	DOSTISH
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0000
Дрогин ИНЕНА	3141-G08N03D2TR
Станодар	3000

N-kanal 30- 8A (TC) 17W (TC) PoverхnoStnoe kreplepleneene 6-dfn (2x2)