Goford Semiconductor G08N06S - Goford Semiconductor FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Гофорд Полупроводник G08N06S

Н60В, РД(МАКС)<30 м при 10 В, РД (МАКС.) <40

  • Производитель: Гофорд Полупроводник
  • Номер производителя: Гофорд Полупроводник G08N06S
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 8
  • Артикул: Г08Н06С
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,1000

Дополнительная цена:$0,1000

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Гофорд Полупроводник
Ряд Г
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 6А (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 30 мОм при 3 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,5 В @ 250 мкА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 22 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 979 пФ при 30 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 2Вт (Та)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования 8-СОП
Пакет/ключи 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм)
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 3 (168 часов)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 4000
N-канал 60 В 6А (Ta) 2 Вт (Ta) Для поверхностного монтажа 8-SOP