Goford Semiconductor G08P06D3 - Goford Semiconductor FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Гофорд Полупроводник G08P06D3

П60В,РД(МАКС.)<52М@-10В,ВТХ-2В~-3.

  • Производитель: Гофорд Полупроводник
  • Номер производителя: Гофорд Полупроводник G08P06D3
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 40
  • Артикул: G08P06D3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0.2010

Дополнительная цена:$0.2010

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Гофорд Полупроводник
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора P-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 8А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 52 мОм при 6 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 3,5 В при 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 25 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2972 пФ при 30 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 40 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования 8-ДФН (3,15х3,05)
Пакет/ключи 8-PowerVDFN
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 3 (168 часов)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 5000
П-канал 60 В 8А (Tc) 40 Вт (Tc) Для поверхностного монтажа 8-DFN (3,15х3,05)