Goford Semiconductor G09N06S2 - Goford Semiconductor FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Гофорд Полупроводник G09N06S2

Н+Н 60В,9А,РД<18М при 10 В, VTH1,2 В~2.

  • Производитель: Гофорд Полупроводник
  • Номер производителя: Гофорд Полупроводник G09N06S2
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 6741
  • Артикул: Г09Н06С2
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,4557

Дополнительная цена:$0,4557

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Гофорд Полупроводник
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Конфигурация 2 N-канала
Особенность левого транзистора Стандартный
Напряжение стока к источнику (Vdss) 60В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 9А (Тц)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 18 мОм при 9 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,2 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 47 НК при 10 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2180пФ при 30 В
Мощность - Макс. 2,6 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм)
Поставщик пакета оборудования 8-СОП
Статус RoHS Соответствует RoHS
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0000
Другие имена 3141-Г09Н06С2ТР
Стандартный пакет 4000
Массив МОП-транзисторов 60 В 9 А (Tc) 2,6 Вт (Tc) для поверхностного монтажа 8-SOP