Goford Semiconductor G1006LE - Goford Semiconductor FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Гофорд Полупроводник G1006LE

Н100В,РД(МАКС)<150 м при 10 В, RD (МАКС.) <1

  • Производитель: Гофорд Полупроводник
  • Номер производителя: Гофорд Полупроводник G1006LE
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 90
  • Артикул: G1006LE
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,0770

Дополнительная цена:$0,0770

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Гофорд Полупроводник
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 3А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 150 мОм при 3 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,2 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 18,2 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 622 пФ при 50 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 1,5 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования СОТ-23-3
Пакет/ключи ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 3 (168 часов)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 3000
Н-канал 100 В 3 А (Tc) 1,5 Вт (Tc) для поверхностного монтажа СОТ-23-3