Goford Semiconductor G10N06
N60V, 10A, Rd <16m@10V, VTH1.2V ~ 2,2 В.
- Проиджоделх: Goford Semiconductor
- NoMerPOIзVODITELEL: Goford Semiconductor G10N06
- Епаково: Lenta и катахка (tr)
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian:-
- ЗapaS: 7973
- Sku: G10N06
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Манера | Goford Semiconductor |
| В припании | - |
| Упако | Lenta и катахка (tr) |
| Степень Продукта | Актифен |
| ТИП ФЕТ | N-канал |
| Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
| Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 60 |
| TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 10a (TC) |
| Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) | 4,5 В, 10. |
| Rds on (max) @ id, vgs | 16mohm @ 9a, 10v |
| Vgs (th) (max) @ id | 2,2 pri 250 мк |
| ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 58 NC @ 10 V |
| Vgs (mmaks) | ± 20 В. |
| Взёр. | 2180 pf @ 30 v |
| FET FUONKSHINA | - |
| Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 2,6 yt (tc) |
| Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | 8-Sop |
| PakeT / KORPUES | 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) |
| Статус Ройс | ROHS COMPRINT |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.29.0000 |
| Дрогин ИНЕНА | 3141-G10N06TR |
| Станодадж | 4000 |
N-kanal 60- 10A (TC) 2,6 sta (Tc) poverхnoStnoe
Болх
- Vishay Siliconix IRF510
- Vishay Siliconix IRF9510
- Vishay Siliconix IRFD9220
- Vishay Siliconix IRF840
- Vishay Siliconix IRFD110
- Vishay Siliconix IRFD9113
- Vishay Siliconix IRFD210
- Vishay Siliconix IRFD9110
- Vishay Siliconix IRFD9120
- Vishay Siliconix IRF9630
- Vishay Siliconix IRF610
- Vishay Siliconix IRF530
- Vishay Siliconix IRF620
- Vishay Siliconix IRF730
- Vishay Siliconix IRF740