Goford Semiconductor G10N06 - Goford Semiconductor FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Гофорд Полупроводник G10N06

Н60В, 10А, РД<16М при 10 В, VTH1,2 В~2,2 В

  • Производитель: Гофорд Полупроводник
  • Номер производителя: Гофорд Полупроводник G10N06
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 7973
  • Артикул: Г10Н06
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,2305

Дополнительная цена:$0,2305

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Гофорд Полупроводник
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 10А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 16 мОм при 9 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,2 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 58 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2180 пФ при 30 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 2,6 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования 8-СОП
Пакет/ключи 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм)
Статус RoHS Соответствует RoHS
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0000
Другие имена 3141-Г10Н06ТР
Стандартный пакет 4000
N-канал 60 В 10 А (Tc) 2,6 Вт (Tc) для поверхностного монтажа 8-SOP