Goford Semiconductor G10P03 - Goford Semiconductor FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Гофорд Полупроводник G10P03

P30V,RD(МАКС.)<26M@-4,5В,RD(MAX)<3

  • Производитель: Гофорд Полупроводник
  • Номер производителя: Гофорд Полупроводник G10P03
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 5
  • Артикул: G10P03
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,1000

Дополнительная цена:$0,1000

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Гофорд Полупроводник
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора P-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 10А
Vgs(th) (Макс) @ Id 1,5 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 27 НК при 4,5 В
ВГС (Макс) ±12 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1550 пФ при 15 В
Рассеиваемая мощность (макс.) 20 Вт
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования 8-ДФН (3,15х3,05)
Пакет/ключи 8-PowerVDFN
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 3 (168 часов)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 5000
П-канал 30 В 10 А 20 Вт для поверхностного монтажа 8-DFN (3,15x3,05)