GOFORD SEMICONDUCTOR G110N06T

N60V, RD (MAX) <6,4 м@10V, RD (MAX) <8.

Проиджоделх: Goford Semiconductor
NoMerPOIзVODITELEL: GOFORD SEMICONDUCTOR G110N06T
Епаково: Трубка
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 9514
Sku: G110N06T
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТА

Подрэбной

Парметр
Млн	Goford Semiconductor
В припании	-
Упако	Трубка
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	60
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	110A (TC)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	4,5 В, 10.
Rds on (max) @ id, vgs	6,4mohm @ 20a, 10 В
Vgs (th) (max) @ id	2,5 -50 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	113 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 20 В.
Взёр.	5538 PF @ 25 V
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	120 Вт (TC)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Чereз dыru
ПАКЕТИВАЕТСЯ	ДО-220
PakeT / KORPUES	220-3
Статус Ройс	Rohs3
Доусейн Статуса	DOSTISH
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Станодадж	100

N-kanal 60 v 110a (Tc) 120 st (tc) чereз sturstiee 220