Goford Semiconductor G11S — полевые транзисторы Goford Semiconductor, MOSFET — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Гофорд Полупроводник G11S

П-20В,РД(МАКС)<18,4 М при -4,5 В, РД (МАКС.

  • Производитель: Гофорд Полупроводник
  • Номер производителя: Гофорд Полупроводник G11S
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 40
  • Артикул: G11S
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,0920

Дополнительная цена:$0,0920

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Гофорд Полупроводник
Ряд Г
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора P-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 11А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 2,5 В, 4,5 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 18,4 мОм при 1 А, 4,5 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 1,1 В при 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 47 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±12 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2455 пФ при 10 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 3,3 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования 8-СОП
Пакет/ключи 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм)
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 3 (168 часов)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 4000
П-канал 20 В 11 А (Tc) 3,3 Вт (Tc) для поверхностного монтажа 8-SOP