Goford Semiconductor G11s

P-20V, RD (MAX) <18,4M@-4,5V, RD (MAKS

Проиджоделх: Goford Semiconductor
NoMerPOIзVODITELEL: Goford Semiconductor G11s
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 40
Sku: G11s
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $0,0920

Эkst цena:$0,0920

Подрэбной

Парметр
Млн	Goford Semiconductor
В припании	Грлин
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	П-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	20
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	11a (TC)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	2,5 В, 4,5 В.
Rds on (max) @ id, vgs	18,4mohm @ 1a, 4,5
Vgs (th) (max) @ id	1,1 В @ 250 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	47 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 12 В.
Взёр.	2455 PF @ 10 V
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	3,3 Вт (TC)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	8-Sop
PakeT / KORPUES	8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм)
Статус Ройс	Rohs3
Вернояж	3 (168 чASOW)
Доусейн Статуса	DOSTISH
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Станодар	4000

P-Kanalol 20 v 11A (TC) 3,3 sta (TC)