GOFORD SEMICONDUCTOR G120P03S2

P-30V, -16a, Rd (max) <14m@-10v, VTH-

Проиджоделх: Goford Semiconductor
NoMerPOIзVODITELEL: GOFORD SEMICONDUCTOR G120P03S2
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 4
Sku: G120P03S2
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $0,2460

Эkst цena:$0,2460

Подрэбной

Парметр
Млн	Goford Semiconductor
В припании	-
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
FET FUONKSHINA	Станода
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	30
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	16a (TC)
Rds on (max) @ id, vgs	14mohm @ 10a, 10 В
Vgs (th) (max) @ id	2,5 -50 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	35NC @ 10V
Взёр.	2835pf @ 15v
Синла - МАКС	1,4 yt (tc)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
PakeT / KORPUES	8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм)
ПАКЕТИВАЕТСЯ	8-Sop
Baзowый nomer prodikta	G120
Статус Ройс	ROHS COMPRINT
Доусейн Статуса	DOSTISH
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0000
Станодадж	4000

MOSFET Array 30V 16A (TC) 1,4 st (TC) PoverхnosTnoe krepleneene 8-Sop