Goford Semiconductor G12P10KE - Goford Semiconductor FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Гофорд Полупроводник G12P10KE

П-100В,ESD,-12А,РД(МАКС.)<200М@-10

  • Производитель: Гофорд Полупроводник
  • Номер производителя: Гофорд Полупроводник G12P10KE
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 50
  • Артикул: G12P10KE
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,1620

Дополнительная цена:$0,1620

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Гофорд Полупроводник
Ряд Г
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора P-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 12А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 200 мОм при 6 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 3 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 33 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1720 пФ при 50 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 57 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования ТО-252
Пакет/ключи ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
Стандартный пакет 2500
П-канал 100 В 12 А (Tc) 57 Вт (Tc) для поверхностного монтажа ТО-252