Гофорд Полупроводник G12P10TE

П-100В,-12А,РД(МАКС)<200М@-10В,ВТ

Производитель: Гофорд Полупроводник
Номер производителя: Гофорд Полупроводник G12P10TE
Упаковка: Трубка
Техническая спецификация: PDF
Запас: 9495
Артикул: Г12П10ТЕ
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Подробности

Параметры
Производитель	Гофорд Полупроводник
Ряд	-
Упаковка	Трубка
Статус продукта	Активный
Тип полярного транзистора	P-канал
Технология	МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss)	100 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	12А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения)	10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	200 мОм при 6 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	3 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	25 НК при 10 В
ВГС (Макс)	±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	760 пФ при 25 В
Особенность левого транзистора	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	40 Вт (Тс)
Рабочая температура	-55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования	ТО-220
Пакет/ключи	ТО-220-3
Статус RoHS	Соответствует RoHS
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0000
Стандартный пакет	50

П-канал 100 В 12 А (Тс) 40 Вт (Тс) Сквозное отверстие ТО-220