Парметр |
Млн | Goford Semiconductor |
В припании | - |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Актифен |
ТИП ФЕТ | N-канал |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 60 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 15a (TC) |
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) | 4,5 В, 10. |
Rds on (max) @ id, vgs | 45mohm @ 8a, 10v |
Vgs (th) (max) @ id | 3 w @ 250 мк |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 25 NC @ 10 V |
Vgs (mmaks) | ± 20 В. |
Взёр. | 763 PF @ 30 V |
FET FUONKSHINA | - |
Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 40 yt (tc) |
Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | 252 |
PakeT / KORPUES | TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 |
Статус Ройс | Rohs3 |
Вернояж | 3 (168 чASOW) |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Станодар | 2500 |
N-kanal 60-v 15a (tc) 40w (tc) poverхnostnoe krepleneene odou